报告题目：原子层沉积法生长氧化镓薄膜的结构特性研究

报告人：刘祥泰

报告时间：2024年12月29日下午15:00-16:00（周日）

报告地点：西区2号实验楼107室

报告简介：

近年来，物化性能优异的超宽禁带半导体氧化镓（Ga₂O₃）引起了科研界的广泛关注。氧化镓具有高达8 MV·cm-1的抗击穿特性，为制作下一代高功率电子器件提供了良好的材料学基础。此外，氧化镓的光响应峰值直接对应于日盲紫外波段，在光电器件领域存在巨大的潜在应用价值。正因如此，2022年美国商务部对氧化镓相关技术实施新的出口管制。我国科技部也将氧化镓材料相关技术列入“十四五”国家重点研发计划重点专项项目的申报指南。

本报告将介绍原子层沉积法生长氧化镓薄膜的结构特性研究，具体来说，介绍蓝宝石和硅衬底上氧化镓薄膜的晶格结构、元素分布和表面形貌特征，重点说明生长温度、退火温度和氧源等对氧化镓薄膜结构特性的影响规律，并针对氧化镓薄膜生长方面未解决的关键问题进行探讨。

欢迎广大师生前来参加交流！

                                              电子工程学院

                                              2024年12月27日