报告题目：不同衬底上氧化镓薄膜的光电探测性能研究

报告人：王少青

报告时间：2024年12月29日下午16:00-17:00（周日）

报告地点：西区2号实验楼107室

报告简介：

氧化镓(Ga₂O₃)禁带宽度可达4.8eV，在可见光区域(400-800nm)的透过率高达80%，在深紫外区域(200-280nm)具有优异的吸收特性，吸收边缘刚好处于260-280nm，是制备日盲紫外探测器最理想的材料。氧化镓具有良好的化学稳定性和热稳定性，相比于单晶体，氧化镓薄膜的制备温度更低，方法更加多样，成本更低。

本报告将分别介绍蓝宝石衬底和石英衬底上氧化镓薄膜的生长、光电探测器件的制备以及性能测试与分析；重点说明退火温度以及薄膜厚度对光电探测器件性能的影响机制。另外，本报告将介绍研究中的部分尝试性工作，如利用层状掺杂工艺对氧化镓进行Al原子掺杂，研究掺Al氧化镓薄膜的各项特性；利用电子束蒸发金属Ge膜，结合热退火，尝试和探索新的氧化镓掺杂工艺。

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                                              电子工程学院

                                             2024年12月27日