报告题目：具有带外抑制功能的射频前端接收芯片的研究与设计

报告人：徐静萍

报告时间：2024 年 12 月 30 日8:10（周一）

报告地点：西区二号实验楼218 室

报告简介：

为了满足射频通信接收系统对高线性度与带外抑制的需求，提出了一种基于SOI（Silicon on Insulator）工艺设计的高线性度射频前端接收芯片，集成了低噪声放大器、射频开关以及相关辅助电路。其中，低噪声放大器采用基于跨导非线性补偿技术的MGTR（Multiple Gated Transistor）结构设计，以减小 MOS管的三阶跨导，并利用匹配中的谐振网络抑制了放大器中的二阶非线性，使低噪声放大器取得了高线性度性能，该谐振网络还使低噪声放大器实现了带外抑制功能。射频开关设有Bypass支路，能在接收输入端信号过大时将信号衰减并旁路，以保护低噪声放大器。

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