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电子工程学院系列学术报告第二期——郭三栋博士

发布时间:2019年09月20日 11:04      浏览次数:[]

电子工程学院

系列学术报告第二期——郭三栋博士

报告时间:2019923日下午14:30

报告地点:2号实验楼307会议室

报告题目:Ga2O3的压电性质研究和二维SnSSe的预言以及相关性质研究

报告人:郭三栋 博士

 

报告简介:

1、材料具有压电特性需要的必要条件是中心对称性缺失,另一个条件是半导体。从对称分析得到e-Ga2O3缺乏中心对称。我们利用mBJLDA交换关联势研究它的电子结构,得到它是半导体,并且计算的能隙和实验符合。最后我们对材料的压电性质进行了系统研究。为了确保我们结果或者方法的可靠性,同时研究了常见压电材料ZnOGaNAlN的压电系数,并且和相关实验对照。

2、我们预言了一种二维半导体材料SnSSe,并且分析了实验合成的可行性。接着我们研究了它的电子结构,载流子迁移率,压电特性和光学特性以及电子传输系数。计算结果表明SnSSe是一个潜在的性能良好的实验上可以合成的二维半导体材料。

 

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电子工程学院

二零一九年九月二十日


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