报告题目：FinFETs器件简介及退火对其性能影响的研究

报告人：谢端副教授

报告时间：2023年12月8日星期五，早上10:00

报告地点：电子工程学院大楼（2号楼）307会议室

FinFET全称Fin Field-Effect Transistor，中文名叫鳍式场效应晶体管，是一种新的互补式金氧半导体晶体管。FinFET命名根据晶体管的形状与鱼鳍的相似性而来。随着集成电路的规模越来越大，其内部晶体管的特征尺寸也越来越小。当沟道长度接近20nm时，器件的短沟道效应变得十分突出。为了抑制短沟道效应，FinFETs器件逐步取代MOSFETs出现在集成电路中。1998 年，胡正明教授及其团队成员成功制造出第一个 n 型 FinFETs，它的栅长度只有 17nm，沟道宽度 20nm，鳍（Fin）的高度 50nm。2012年，intel公司发布的第三代Core i系列处理器，其特征尺寸22nm，使用的就是FinFETs器件。直到最近发布的苹果A17处理器，其仍是基于台积电的3nm FinFETs工艺。对于先进器件，其栅氧化层的质量直接影响器件性能的高低，而器件低频噪声可以有效衡量器件栅极氧化层的质量。

本报告将首先介绍FINFETs器件的由来，随后介绍退火对栅极叠层性能的影响。最后用噪声评判退火后栅氧化层的质量。

欢迎广大师生参加！

电子工程学院

2023年12月5日