11月22日，西安电子科技大学冯倩教授应邀为我校电子工程学院教师及学生作题为《超宽禁带半导体氧化镓材料与器件的研究》的讲座。电子工程学院院长杜慧敏教授主持讲座，董军、陈海峰等我校新型半导体器件与材料重点实验室骨干教师相关参加讲座。

冯倩教授针对超宽禁带氧化镓材料器件，首先介绍了国际上该领域的发展及应用潜力。结合自己多年来在氧化镓材料器件领域的研究经验，她详细的阐述氧化镓材料的能带结构、电学特性以及光学特性分析所使用的理论计算及仿真方法，并在此基础上讲述基于激光脉冲沉积以及雾化气相沉积等方法在不同衬底上展开氧化镓薄膜材料外延生长技术，其中重点讲解了日盲紫外探测器、高压肖特基二极管与金属-氧化物-半导体电子器件的制备。冯倩教授指出，氧化镓器件材料日益成为国际上半导体领域的研究热点，并鼓励我院师生要开拓创新，为我国在该领域的发展做出贡献。

报告结束后，冯倩教授与在场的师生进行了深入的交流探讨，分享氧化镓材料生长以及器件制备等方面的实际经验，并就如何做科研提供了很好的建议。与会师生纷纷表示此次讲座受益匪浅，为今后的氧化镓方向的科研工作提供了新的思路和方法。

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冯倩，教授，博士生导师, 1976年12月出生，陕西西安人，分别于2000年和2004年在西安电子科技大学获得物理电子学与光电子学硕士学位和微电子学与固体电子学博士学位。同年留在西电宽带隙半导体技术国家重点学科实验室工作。2014年7月晋升为教授。主要研究方向为宽禁带半导体材料的外延生长与相关器件的研究。先后承担和作为主要成员参加了省部级以上科研项目20余项，获得国家技术发明二等奖1项目，省部级科技奖4项，获得授权国家发明专利10余项，受理国家发明专利30余项，在国际国内核心刊物上发表学术论文30余篇，其中SCI收录20余篇。目前的研究重点为超宽禁带半导体氧化镓材料与器件的仿真、制备及表征。