10月24日，电子工程学院2019年下半学年系列学术报告会第五期开讲，我院青年教师刘祥泰博士作题为《超宽禁带半导体氧化镓的研究进展》的学术报告。报告会由学院副院长董军教授主持，相关学科教师、研究生参加报告会。
本报告介绍了超宽禁带半导体材料氧化镓的晶体结构、性能特征及所制备微电子器件的国内外研究进展，并针对采用原子层沉积法制备氧化镓薄膜、氧化镓的非稳态相以及准二维氧化镓的独特性质等方向进行重点阐述。此外，本报告基于第一性原理模拟计算方法，获得不同主族元素在二维氧化镓的掺杂特性，并与块体氧化镓进行对比说明。最后，基于上述所展示问题，总结出氧化镓材料当前所存在的问题，且刘祥泰博士结合前期研究基础和本校实际，对下一步拟开展工作进行说明。报告结束后，与会各位教师就超宽禁带氧化镓方向进行了深入热烈的探讨与交流，学术氛围非常热烈。
董军教授对这次学术报告进行了总结发言，认为本次报告开展得非常好，为本院教师研究氧化镓材料提供了一个良好的学习机会，也为教师广泛开展学术研讨提供一个很好交流平台，鼓励青年教师要加强交流合作，尽快融入科研团队，快速成长，助力学校发展。
电子工程学院
2019年10月24日
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刘祥泰博士，本科毕业于山东大学材料物理专业，后进入西安交通大学材料学专业进行硕博连读，师从徐可为教授和马飞教授，2018年12月于西安交通大学获得工学博士学位。博士期间主要从事碳化硅外延石墨烯的制备、微结构表征及其与金属交互作用的研究工作，还在大型设备如分子束外延、扫描隧道显微镜、拉曼散射光谱仪的安装、集成与维护方面积累了丰富经验。入职以来，开展宽超宽禁带氧化镓等半导体材料制备及电学性能方面研究。近几年参与国家自然科学基金面上项目、青年项目多项，以第一作者在Carbon、Physical Chemistry Chemical Physics、Journal of Applied Physics等期刊上发表多篇科研论文。
