报告时间：2019年10月24日上午11点

报告地点：电子工程学院大楼（2号楼）307会议室

报告题目：超宽禁带半导体氧化镓的研究进展

报告人：刘祥泰博士

以半导体材料为核心的微电子技术使人类社会进入电子信息时代，极大地改善了人类的生产与生活方式。但硅材料本身的窄带隙特征限制了其在功率器件和低波段光电器件等领域的应用，因此，近些年来，以氧化镓为代表的超宽禁带半导体材料蓬勃发展。β相氧化镓的带隙值宽达4.9 eV，赋予其超高的抗击穿特性，用以表征功率器件电学特性的巴利加优值高达3214.1，且通过改变掺杂浓度，可对其电学特性进行有效调节，这为制作下一代高功率电子器件提供了良好的材料学基础。另一方面，氧化镓的带隙值对应于日盲紫外光波段，在光电器件领域也展现出美好的发展前景。由此可见，氧化镓在微电子器件领域表现出极为重要的研究和应用价值。

本报告将介绍超宽禁带半导体材料氧化镓的国内外研究进展，并针对其外延沉积、非稳态相和准二维特性等方向进行重点阐述。此外，基于第一性原理模拟计算方法，针对二维氧化镓的掺杂特性，与块体氧化镓进行对比说明。最后，针对氧化镓材料当前所存在的问题和未来研究方向作初步探讨。