2021年7月16日，西安电子科技大学张进成教授应邀来我校电子工程学院进行学术交流和指导工作。电子工程学院院长杜慧敏教授主持讲座，副院长董军教授、新型半导体器件与材料创新团队负责人陈海锋教授、团队骨干成员及研究生参加交流会。

杜慧敏首先对张进成教授百忙之中来学院进行指导工作表示感谢，并对电子工程学院学科分布、新兴学科方向培育以及人才培育等方面工作进行了介绍，希望张老师能够给予指导。

陈海峰向张进成教授详细汇报团队所依托的新型半导体器件与材料重点实验室团队的平台建设情况，以及团队在基础研究方面所取得的阶段性成果。

张进成教授针对超宽禁带半导体材料器件，对国际上该相关领域的发展及应用潜力进行回顾和展望，并结合自己多年来在宽禁带材料与器件领域的研究经验，阐述了氮化镓材料在射频和电力电子领域的应用特点。张进成教授在分析当前我院实验室在超宽禁带氧化镓器件与材料领域的研究现状基础上，对今后实验室可开展科学研究的方向和发展思路提出了建设性意见。

张进成教授指出，氧化镓器件材料为当前国际上半导体领域的研究热点，找出其合适的应用是必不可少的，并鼓励团队要开拓创新，瞄准基础研究和实际应用结合点，主动作为，早日在宽禁带半导体研究领域立有一席之地。与会师生纷纷表示参加此次交流会受益匪浅，感谢张老师的分享和指导，并表示今后一定会认真工作，早日产出高质量研究成果。

报告结束后，张进成教授参观了新型半导体器件与材料重点实验室，并对实验室的建设工作给予了充分肯定，并就如何围绕氧化镓半导体材料开展科研工作给出了建设性意见。

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张进成，二级教授，博士生导师，教育部长江学者特聘教授，国家杰出青年基金获得者，国家万人计划领军人才。2008年起担任西安电子科技大学宽带隙半导体技术国家级重点实验室副主任，2016年起担任陕西省石墨烯联合实验室（西电分部）主任，2018年9月至今担任西安电子科学研究院院长，2019年起担任西电半导体国家工程研究中心副主任。张进成教授1998年起从事宽禁带半导体电子材料与器件研究，是我国乃至国际上最早开展宽禁带（第三代）半导体电子器件与材料研究的知名学者之一。研究方向包括宽禁带半导体(GaN)器件、材料与设备，微波毫米波太赫兹集成电路与工艺，超宽禁带半导体(金刚石、氧化镓、氮化铝)器件、材料与设备，石墨烯及二维半导体器件与材料，柔性新能源与可穿戴器件。在国际国内核心刊物上发表学术论文300余篇，SCI他引3000余次，出版专著3部，教材1部，成果6次被国际半导体行业著名杂志Semiconductor Today专题报道。授权发明专利80余项，实现专利转化和作价累计金额5000余万元。研究成果在北斗导航卫星、新型雷达等国家重大工程中成功应用，并为我国4G/5G通信器件提供核心技术支撑。国家技术发明二等奖2项，省部级科技奖励9项。主持完成了国家科技重大专项、国家973计划、863计划、国家重点研发计划、国家自然基金重大项目、重点项目等50余项国家级重大重点项目。目前在研主持国家科技重大专项“大功率高速整流器件”、国家科技重大专项“毫米波放大器芯片”、国家重点研发计划“基于极化诱导能带工程的GaN基电子器件新结构、新工艺和可靠性研究”等课题。