个人简介
王少青，女，中共党员，博士，讲师，电子科学与技术专业硕士生导师。籍贯河北省邢台市，2012年毕业于西安电子科技大学，获得微电子学学士学位；2018年毕业于中国科学院微电子研究所，获得微电子学与固体电子学博士学位；同年入职西安邮电大学电子工程学院微电子学系，从事教学科研工作。
讲授《电路分析基础》、《数字电路与逻辑设计》、《半导体工艺实习》等课程。研究方向主要为宽禁带半导体材料制备及相关器件的制备与工艺优化，主要涉及氧化镓日盲紫外探测器及氧化镓功率器件的仿真与实验等研究工作。近年来在Journal of Physics D: Applied Physics、Nanotechnology、Chinese Physics B、Materials Chemistry and Physics等期刊发表SCI检索的学术论文多篇，参与多项国家自然科学基金，主持一项陕西省科技厅基金项目。目前所在西安邮电大学新型半导体器件与材料重点实验室，具有较为完备的半导体材料及器件制备工艺线，欢迎有志于半导体行业的学生报考我们团队。
研究方向
宽禁带半导体材料制备、光电探测及功率器件的建模仿真与实验研究
教学方向
微电子专业课程、电子科学与技术专业基础课程
科研项目
王少青，2019年1月至2020年12月，玻璃表面上石墨烯的低温PECVD生长技术研究，陕西省科技厅青年项目
发表论文
ShaoqingWang,Yan Zhao, Nini Cheng, Yongtao Ren, Xiangtai Liu, Lijun Li,Yifan Jia,Yunhe Guan,Haifeng Chen, Songang Peng. Effects of growth cycle number and annealing temperature on Ga2O3-on-quartz solarblind photodetectors, Materials Chemistry and Physics, 2023, 306,128037.
Shaoqing Wang, Nini Cheng, Haian Wang, Yifan Jia, Qin Lu, Jing Ning, Yue Hao, Xiangtai Liu and Haifeng Chen. Thickness effect on solar-blind photoelectric properties of ultrathin β-Ga2O3films prepared by atomic layer deposition,Chinese Physics B, 2023, 32, 048502.
Shaoqing Wang,Ruixia Miao, Songang Peng, Zhi Jin. Extracting Small-Signal Model Parameters of Graphene-Based Field-Effect Transistors,PhysicaStatusSolidi (a), 2018, 215, 1800477.
Shaoqing Wang,Zhi Jin, Asif Muhammad, Songang Peng, Xinnan Huang, Dayong Zhang and Jingyuan Shi. Intrinsic carrier mobility extraction based on a new quasi-analytical model for graphene fieldeffect transistors Journal of Physics D: Applied Physics, 2016, 49, 425103.
Shaoqing Wang,Dacheng Mao, Asif Muhammad, Songang Peng, Dayong Zhang, Jingyuan Shi, Zhi Jin. Characterization of the quality of metal-graphene contact with contact end resistance measurement, Applied Physics A, 2016, 122, 643.
Shaoqing Wang,Dacheng Mao, Zhi Jin, Songang Peng, Dayong Zhang, Jingyuan Shi and Xuanyun Wang. A more reliable measurement method for metal/graphene contact resistance, Nanotechnology, 2015, 26, 405706.
电子邮箱 wangshaoqing@xupt.edu.cn
