个人简介
贾一凡，男，1990年3月出生，中共党员，微电子学与固体电子学专业博士，讲师，电子科学与技术、集成电路工程专业硕士生导师。
2008年9月至2018年12月，在西安电子科技大学分别攻读微电子学学士、集成电路系统设计硕士及微电子学与固体电子学博士，并获得学位。现工作于西安邮电大学电子工程学院微电子学系，主要从事微电子科学与工程专业的教学和科研工作，讲授《电路分析基础》、《半导体物理》、《微电子器件测试表征技术》及《宽禁带半导体材料与器件》等专业课程。目前主要研究方向为宽禁带半导体材料与器件，包含半导体材料生长、器件设计制备、关键工艺优化、测试分析表征以及可靠性评估等。主持国家自然科学基金、陕西省自然科学基金和陕西省教育厅自然科学基金等科研项目，近年来在国内外期刊发表学术论文十余篇，获批国家发明专利若干。所在的西安邮电大学新型半导体器件与材料重点实验室，具有较完备的半导体材料生长及器件制备工艺线，欢迎踏实、认真并对科研有兴趣的学子报考。
研究方向
宽禁带半导体材料与器件
教学方向
电子科学与技术，微电子科学与工程
科研项目
1、贾一凡，2023.01-2025.12，基于高k复合栅介质增强的不同晶向β-Ga2O3MOS界面调控机理研究，国家自然科学基金
2、贾一凡，2022.01-2023.12，不同晶向High-k/β-Ga2O3MOS界面形成机理及器件特性改善，陕西省科学技术厅
3、贾一凡，2020.1-2021.12，基于氮磷混合调控的4H-SiC绝缘栅介质抗总剂量辐射加固技术研究，陕西省教育厅
发表论文
1、Yifan Jia et al. Influence of Hydrogen-Nitrogen hybrid passivation on the gate oxide film of n-type 4H-SiC MOS capacitors. Coatings, 2021, 11(12): 1449.
2、Yifan Jia et al. Infuence of various NO annealing conditions on N-type and P-type 4H-SiC MOS capacitors. Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2019, 30: 10302-10310.
3、Yifan Jia et al. Growth and characterization of nitrogen-phosphorus hybrid passivated gate oxide film on N-type 4H-SiC epilayer. Journal of Crystal Growth, 2019, 507: 98-102.
4、Yifan Jia et al. Comparative study on slow-state near interface hole traps in NO and Ar annealed N-type 4H-SiC MOS capacitors by ultraviolet light. Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2018, 29(16): 14292-14299.
5、Yifan Jia et al. Influence of oxidation temperature on the interfacial properties of n-type 4H-SiC MOS capacitors. Applied Surface Science, 2017, 397: 175-182.
会议与工作论文
1、Yifan Jia. Impact of NO annealing conditions on electron and hole traps of n-type and p-type 4H-SiC MOS capacitors. 2018 European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Birmingham, UK. 2018, Sep. 2-6. (Oral Presentation)
2、Yifan Jia. A novel nitrogen-phosphorus hybrid passivation method for n-type 4H-SiC MOS capacitor. 2018 Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Beijing, CHN. 2018, Jul. 9-12. (Oral Presentation)
3、Yifan Jia. Study on NO passivation on the near interface electron and hole traps of n-type 4H-SiC MOS capacitors by ultraviolet light. 2017 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Washington, D.C. USA. 2017, Sep. 17-22. (Poster Presentation)
4、贾一凡.第二届全国新型功率半导体器件及应用技术研讨会,昆明, 2016, 11月25-28日. (口头报告)
5、贾一凡.氮掺杂浓度对6H-SiC热氧化速率的影响.第18届全国半导体集成电路、硅材料学术会议,西安, 2014, 6月14-15日. (口头报告)
电子邮箱 jiayifan@xupt.edu.cn
