科研成果

当前位置: 首页 >> 科学研究 >> 科研成果 >> 正文

我校重点实验室成功制备高耐压性能半导体材料

发布时间:2023年03月22日 10:40      浏览次数:[]

近日,我院新型半导体器件与材料重点实验室陈海峰教授团队成功在8吋硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片,这一成果标志着我院在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。

团队负责人陈海峰教授介绍,氧化镓是一种超宽禁带半导体材料,具有优异的耐高压与日盲紫外光响应特性,在功率器件和光电领域应用潜力巨大。硅上氧化镓异质外延有利于硅电路与氧化镓电路的直接集成,同时拥有成本低和散热好等优势。

新型半导体器件与材料重点实验室聘请中国科学院院士、微电子学与固体电子学家郝跃院士为首席科学家,团队师生共30余人,拥有完整的氧化镓工艺实验线及超净工艺间,主要研究超宽禁带氧化镓材料与器件。团队在氧化镓材料生长、器件制备、测试表征等方面具有丰富的科研经验,承担国家自然科学基金、陕西省自然科学基金、陕西省教育厅基金资助的多个研究项目,在物理学报、半导体学报、IEEE Electron Device Letters、Journal of Applied Physics、IEEE Transactions on Electron Devices、Physics Letters A、Nanotechnology、Applied Surface Science、Carbon等发表研究论文100余篇,授权国家发明专利20余项。

109D5


上一条:我院陕西省通信专用集成电路设计工程技术研究中心在集成电路领域国际顶刊上发表论文
下一条:我院获批5G雷达未来产业创新研究院

关闭

联系电话:029-88166273

Email : telecom@xupt.edu.cn

通讯地址:西安市长安区韦郭路西安邮电大学二号实验楼318办公室

Copyright ?2015 西安邮电大学电子工程学院 版权所有