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电子工程学院硕士研究生导师谢端学术讲座

发布时间:2023年12月05日 10:09      浏览次数:[]

报告题目:FinFETs器件简介及退火对其性能影响的研究

报告人:谢端副教授

报告时间:2023年12月8日星期五,早上10:00

报告地点:电子工程学院大楼(2号楼)307会议室

FinFET全称Fin Field-Effect Transistor,中文名叫鳍式场效应晶体管,是一种新的互补式金氧半导体晶体管。FinFET命名根据晶体管的形状与鱼鳍的相似性而来。随着集成电路的规模越来越大,其内部晶体管的特征尺寸也越来越小。当沟道长度接近20nm时,器件的短沟道效应变得十分突出。为了抑制短沟道效应,FinFETs器件逐步取代MOSFETs出现在集成电路中。1998 年,胡正明教授及其团队成员成功制造出第一个 n 型 FinFETs,它的栅长度只有 17nm,沟道宽度 20nm,鳍(Fin)的高度 50nm。2012年,intel公司发布的第三代Core i系列处理器,其特征尺寸22nm,使用的就是FinFETs器件。直到最近发布的苹果A17处理器,其仍是基于台积电的3nm FinFETs工艺。对于先进器件,其栅氧化层的质量直接影响器件性能的高低,而器件低频噪声可以有效衡量器件栅极氧化层的质量。

本报告将首先介绍FINFETs器件的由来,随后介绍退火对栅极叠层性能的影响。最后用噪声评判退火后栅氧化层的质量。

 

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电子工程学院

2023年12月5日


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