报告时间：2021年4月2日下午14:30分

报告地点：2号实验楼307会议室

报告题目：异质结隧穿场效应晶体管研究

报告人：关云鹤博士

报告简介：

随着金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)的特征尺寸不断减小，微处理器的开关速度显著提高，系统成本明显降低，集成电路行业飞速发展。然而由于MOSFET器件的亚阈值摆幅在室温下无法低于60mV/decade，导致其静态功耗随尺寸减小迅速增长，不能满足现代集成电路对低功耗的需求。隧穿场效应晶体管(Tunneling Field-Effect Transistor，TFET)基于带带隧穿机制工作，其亚阈值摆幅可以突破60mV/decade的限制，具备广阔的低功耗应用前景。

本报告将简要介绍隧穿场效应晶体管的基本工作原理，并针对基于III-V族异质结结构TFET的国内外发展现状及电流电压等基本特性进行详细阐述。重点阐述异质结隧穿场效应晶体管的性能对新结构参量的依赖性、解析电流和电势模型的建立以及表面粗糙度、金属栅功函数和随机离散掺杂这三种涨落源对器件涨落特性的影响，并针对当前异质结隧穿场效应晶体管研究中存在的问题以及未来研究方向作初步探讨。

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电子工程学院

二零二一年四月一日