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电子工程学院举办2019年下半学年学术报告会(第二期)—Ga2O3的压电性质研究和二维SnSSe的预言以及相关性质研究

发布时间:2019年09月24日 08:54      浏览次数:[]

 

 

 9月23日,电子工程学院2019年下半学年系列学术报告会第二期开讲,我院教师郭三栋博士作题为《Ga2O3的压电性质研究和二维SnSSe的预言以及相关性质研究》的学术报告。报告会由学院副院长董军教授及相关学科教师参加了研讨会。  

 

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 报告主要介绍了两方面的进展:1:材料具有压电特性需要的必要条件是中心对称性缺失,另一个条件是半导体。从对称分析得到e- Ga2O3缺乏中心对称。我们利用mBJLDA交换关联势研究它的电子结构,得到它是半导体,并且计算的能隙和实验符合.最后我们系统的研究了e-Ga2O3的压电性质。 为了确保我们结果或者方法的可靠性,也研究了常见压电材料ZnO,GaN和AlN的压电系数,并且和相关实验对照。预言了一种二维半导体材料SnSSe,并且分析了实验合成的可行性。接着我们研究了它的电子结构,载流子迁移率,压电特性和光学特性以及电子传输系数.计算结果表明SnSSe是一个潜在的性能良好的实验上可以合成的二维半导体材料。

 

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 报告结束后,参会老师与郭老师进行了深入探讨,一致认为郭老师报告能够为Ga2O3以及二维材料的研究提供新思路。董军鼓励学院青年博士要加强交流合作,凝聚力量、形成团队,将学科做大做强,助力学校追赶超越。

电子工程学院  

2019年9月23日  


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